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深圳迅瑞创芯科技有限公司
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相关产品
产品信息
DW03D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW03D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。
DW03D具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。
DW03D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。
该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。
DW02A产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW02A包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。
DW02A具有非常小的SOT23-6的封装并且只需要一个外部元器件，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。
DW02A具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。
该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。
二、 特点
1》内部集成等效45mΩ-60mΩ的先进的功率MOSFET；
2》过充电流保护；
3》3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流；
4》充电器检测功能；
5》延时时间内部设定；
6》高精度电压检测；
7》低静态耗电流：正常工作电流3.8uA
8》兼容ROHS和无铅标准。
9》采用TSSOP-8封装形式塑封。
三、 应用
- 单芯锂离子电池组；
-
锂聚合物电池组。
四、 订货信息
|
型号 |
封装 |
过充检测电压 [VCU]（V） |
过充解除电压 [VCL]（V） |
过放检测电压 [VDL]（V） |
过放解除电压 [VDR]（V） |
过流检测电流 [IOV1]（A） |
打印标记 |
|
DW03D |
TSSOP-8 |
4.3 |
4.1 |
2.4 |
3.0 |
2.5 |
DW03D |
五、 管脚外形及描述
|
封装形式 |
管脚号 |
管脚名称 |
管脚描述 |
|
1 |
V- |
电流感应输入管脚，充电器检测。 |
|
|
2 |
0D |
放电控制FET门限连接管脚。 |
|
|
3 |
GND |
接地端，接电池芯负极 |
|
|
4 |
G1 |
放电MOS管G极，连接OD，外部连接。 |
|
|
5 |
G2 |
充电MOS管G极，连接OC，外部连接。 |
|
|
6 |
BTT- |
充电负极 |
|
|
7 |
VDD |
正电源输入管脚。 |
|
|
8 |
0C |
充电控制FEL门限连接管脚。 |
一、 极限参数
|
参数 |
符号 |
参数范围 |
单位 |
|
电源电压 |
VDD |
VSS-0.3~VSS+12 |
V |
|
OC输出管脚电压 |
VOC |
VDD-15~VDD+0.3 |
V |
|
OD输出管脚电压 |
VOD |
VSS-0.3~VDD+0.3 |
V |
|
CSI输入管脚电压 |
VCSI |
VDD+15~VDD+0.3 |
V |
|
工作温度 |
Topr |
-40~+85 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-40~+125 |
℃ |
二、 电气特性参数
|
参数 |
符号 |
测试条件 |
值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
||||||
|
工作电压 |
VDD |
-- |
1.5 |
-- |
10 |
V |
|
电流消耗 |
||||||
|
工作电流 |
IDD |
VDD=3.9V |
-- |
4.0 |
6.0 |
uA |
|
检测电压 |
||||||
|
过充电检测电压 |
VOCD |
-- |
4.25 |
4.30 |
4.35 |
V |
|
过充电释放电压 |
VOCR |
-- |
4.05 |
4.10 |
4.15 |
V |
|
过放电检测电压 |
VODL |
-- |
2.30 |
2.40 |
2.50 |
V |
|
过放电释放电压 |
VODR |
-- |
2.90 |
3.00 |
3.10 |
V |
|
过电流1检测电压 |
VOI1 |
-- |
0.12 |
0.15 |
0.18 |
V |
|
过电流2（短路电流）检测电压 |
VOI2 |
VDD=3.6V |
0.80 |
1.00 |
1.20 |
V |
|
过电流复位电阻 |
Rshort |
VDD=3.6V |
50 |
100 |
150 |
KΩ |
|
过电器检测电压 |
VCH |
-- |
-0.8 |
-0.5 |
-0.2 |
V |
|
迟延时间 |
||||||
|
过充电检测迟延时间 |
TOC |
VDD=3.6V~4.4V |
-- |
80 |
200 |
ms |
|
过放电检测迟延时间 |
TOD |
VDD=3.6V~2.0V |
-- |
40 |
120 |
ms |
|
过电流1检测迟延时间 |
TOI1 |
VDD=3.6V |
5 |
13 |
20 |
ms |
|
过电流2（短路电流）检测迟延时间 |
TOI2 |
VDD=3.6V |
-- |
5 |
50 |
us |
|
其他 |
||||||
|
OC管脚输出高电平电压 |
Voh1 |
-- |
VDD-0.1 |
VDD-0.02 |
-- |
V |
|
OC管脚输出低电平电压 |
Vol1 |
-- |
-- |
0.01 |
0.1 |
V |
|
OD管脚输出高电平电压 |
Voh2 |
-- |
VDD-0.1 |
VDD-0.02 |
-- |
V |
|
OD管脚输出低电平电压 |
Vol2 |
-- |
-- |
0.01 |
0.1 |
|
|
单个MOS管漏极到源极的导通阻抗 |
RDS(on) |
VGS= 2.5V, ID= 3.3A |
-- |
22.0 |
30.0 |
mΩ |
|
RDS(on) |
VGS= 4.5V, ID=8.2A |
-- |
16.0 |
20.0 |
||